数字电子技术课后习题及答案.rar

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数字电子技术基础教材的课后练习题并附上答案，共十章，此外仅显示部分试题
第九章习题
一、填空题
1．半导体存储器分为_______和_______两类，二者最大的区别是_______。
2．ROM常可分为_______、_______、_______及_______。
3．RAM根据存储单元的不同可分为_______和_______两类。
4．存储器的存储容量是指_______，一个16384个存储单元的ROM，每个字8位，它应有个_______字，有_______条数据线和_______条地址线。
5．一个容量为256×4位的RAM，应有_______个基本存储单元，每次访问_______个基本存储单元，有_______条数据线和_______条地址线。
6．存储器容量的扩展有_______、_______、_______三种方式。
7．PLD根据阵列和输出结构的不同，可分为_______、_______、_______和_______四种基本类型。
8．PLD的基本结构由_______、_______、_______和_______四部分组成。
9．PROM与阵列_______，或阵列_______。
10．PLA的与阵列_______，或阵列_______。
11．GLA的与阵列_______，或阵列_______。
二．选择题
1．只能读出数据，不能更改数据的存储器是（）
A．RAM B．ROM  C．PROM D．EPPROM
2．1024×4位的RAM芯片,其他地址线的个数为()
A．4  B．8  C．10  D．210
3．EPPROM是指（）
A．随机读写存储器  B．可编程逻辑器件
C．可编程只读存储器  D．可擦除可编程只读存储器
4．将256×1位的ROM扩大为1024×8位ROM，共需（）片256×1位的ROM
A．32  B．10  C．16  D．64
5．已知某计算机的内存设置有32根地址线，16位并行输入/输出数据线，则它的最大存储量是（）位
A．32×16 B．232×16  C．216×16  D．216×32
6．用ROM实现逻辑设计时，要求ROM的与阵列必须产生（），而用PLA实现逻辑设计时，只要产生（）
A．n变量的2n个最小项；n个与项
B．n变量的2n个最大项；n个或项
C．n变量个与项；n变量的2n个最小项
D．n个或项；2n个或项
三．分析题
1．将存储器容量为1K×４的RAM扩展成存储容量为1K×8的RAM。
2．将存储容量为1K×8的RAM扩展成4K×8的RAM。
3．用PLA实现下图所示的1位二进制数值比较器.
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